取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | Super D2-Pak |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 260A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 76A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | SUPER D2-PAK |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 7V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 209 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 8250 pF @ 25 V |
