取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.2365
$2.2365
10
$1.8585
$18.5850
100
$1.4805
$148.0500
500
$1.2495
$624.7500
1000
$1.0605
$1,060.5000
2000
$1.0080
$2,016.0000
4000
$1.0080
$4,032.0000
8000
$0.9765
$7,812.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 9.3A (Ta), 46A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 9.3A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 8.3W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.9V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) Single Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1510 pF @ 50 V |
