取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.3860
$1.3860
10
$1.1970
$11.9700
100
$1.0815
$108.1500
400
$1.4805
$592.2000
800
$1.2915
$1,033.2000
1200
$1.0920
$1,310.4000
2000
$1.0395
$2,079.0000
10000
$0.9660
$9,660.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-VQFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 24A (Ta), 100A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 80 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3120 pF @ 25 V |
