取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.6695
$1.6695
10
$1.3650
$13.6500
100
$1.0605
$106.0500
500
$0.9030
$451.5000
1000
$0.7350
$735.0000
2000
$0.6930
$1,386.0000
4000
$0.6930
$2,772.0000
8000
$0.6615
$5,292.0000
12000
$0.6300
$7,560.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 10A (Ta), 55A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 33A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2570 pF @ 25 V |
