取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.2705
$1.2705
10
$1.0605
$10.6050
100
$0.8400
$84.0000
500
$0.7560
$378.0000
4000
$0.7560
$3,024.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 45A (Ta), 100A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.15mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 160W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 25 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 110 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 7174 pF @ 13 V |
