取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.0895
$2.0895
10
$1.7430
$17.4300
100
$1.3860
$138.6000
500
$1.1760
$588.0000
1000
$0.9975
$997.5000
2000
$0.9450
$1,890.0000
4000
$0.9450
$3,780.0000
8000
$0.9135
$7,308.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 49A (Ta), 100A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 0.95mOhm @ 50A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 2.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±12V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 230 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 10890 pF @ 10 V |
