取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | - |
| Упаковка | Разрезанная лента (CT) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 18-PowerVQFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2.4W, 3.4W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 13A, 28A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1060pF @ 15V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 12A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 12nC @ 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) |
