取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.2180
$1.2180
10
$0.9975
$9.9750
100
$0.7770
$77.7000
500
$0.6615
$330.7500
1000
$0.5355
$535.5000
2000
$0.5040
$1,008.0000
4000
$0.5040
$2,016.0000
8000
$0.4830
$3,864.0000
12000
$0.4620
$5,544.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 24A (Ta), 104A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 25A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.4W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 100µA |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) Single Die |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 51 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4270 pF @ 15 V |
