取消
Количество
Цены
Общая цена
4000
$0.6510
$2,604.0000
8000
$0.6195
$4,956.0000
12000
$0.5880
$7,056.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | LAST_TIME_BUY |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 24A (Ta), 76A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 24A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 30 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3100 pF @ 15 V |
