取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.9345
$0.9345
10
$0.8085
$8.0850
100
$0.5565
$55.6500
500
$0.4725
$236.2500
1000
$0.3990
$399.0000
2000
$0.3570
$714.0000
4000
$0.3570
$1,428.0000
8000
$0.3360
$2,688.0000
12000
$0.3150
$3,780.0000
28000
$0.3045
$8,526.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 27A (Ta), 120A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.1mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 59W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 41 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3180 pF @ 10 V |
