取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.6300
$0.6300
10
$0.5355
$5.3550
100
$0.3675
$36.7500
500
$0.2940
$147.0000
1000
$0.2310
$231.0000
2000
$0.2100
$420.0000
4000
$0.2100
$840.0000
8000
$0.1995
$1,596.0000
12000
$0.1890
$2,268.0000
28000
$0.1785
$4,998.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 14A (Ta), 44A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.2W (Ta), 30W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1180 pF @ 10 V |
