取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | - |
| Упаковка | Разрезанная лента (CT) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 12A (Ta), 35A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 12.8mOhm @ 16.2A, 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (5x6) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 10 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 790 pF @ 10 V |
