取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2.3W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 2.3A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 251pF @ 25V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 195mOhm @ 2.9A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 6.3nC @ 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 10µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
