取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | - |
| Упаковка | Разрезанная лента (CT) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-VQFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 20A (Ta), 40A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 4.3mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (3x3) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1797 pF @ 25 V |
