取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.9450
$0.9450
10
$0.7665
$7.6650
100
$0.5985
$59.8500
500
$0.5040
$252.0000
1000
$0.4095
$409.5000
2000
$0.3885
$777.0000
4000
$0.3885
$1,554.0000
8000
$0.3675
$2,940.0000
12000
$0.3570
$4,284.0000
28000
$0.3570
$9,996.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.8mOhm @ 20A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 50µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN-Dual (3.3x3.3) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 31 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2155 pF @ 25 V |
