取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.1130
$1.1130
10
$0.9135
$9.1350
100
$0.7035
$70.3500
500
$0.5985
$299.2500
1000
$0.4830
$483.0000
2000
$0.4620
$924.0000
4000
$0.4620
$1,848.0000
8000
$0.4410
$3,528.0000
12000
$0.4200
$5,040.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | 8-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2.7W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 11A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1165pF @ 10V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 14.9mOhm @ 10A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 15nC @ 10V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.35V @ 25µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (3.3x3.3), Power33 |
