取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.8400
$0.8400
10
$0.7245
$7.2450
100
$0.5040
$50.4000
500
$0.4200
$210.0000
1000
$0.3570
$357.0000
2000
$0.3150
$630.0000
4000
$0.3150
$1,260.0000
8000
$0.3045
$2,436.0000
12000
$0.2835
$3,402.0000
28000
$0.2730
$7,644.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 11A (Ta), 24A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 11A, 20V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.8W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Пакет устройств поставщика | PQFN (3x3) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V, 20V |
| ВГС (Макс) | ±25V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1543 pF @ 25 V |
