取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.7770
$0.7770
10
$0.6720
$6.7200
100
$0.4725
$47.2500
500
$0.3885
$194.2500
1000
$0.3360
$336.0000
2000
$0.2940
$588.0000
4000
$0.2625
$1,050.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 6A (Ta), 13A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 37mOhm @ 7.8A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 25µA |
| Пакет устройств поставщика | 6-PQFN (2x2) (DFN2020) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 580 pF @ 25 V |
