取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.8505
$0.8505
10
$0.7350
$7.3500
100
$0.5040
$50.4000
500
$0.4200
$210.0000
1000
$0.3570
$357.0000
2000
$0.3255
$651.0000
4000
$0.3255
$1,302.0000
8000
$0.3045
$2,436.0000
12000
$0.2835
$3,402.0000
28000
$0.2835
$7,938.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 P-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 1.4W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 2.3A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 160pF @ 25V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 3.1A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 3.7nC @ 10V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.4V @ 10µA |
| Пакет устройств поставщика | 6-PQFN Dual (2x2) |
