取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$4.0110
$4.0110
10
$3.3705
$33.7050
100
$2.7195
$271.9500
3200
$1.9530
$6,249.6000
5600
$1.8690
$10,466.4000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | LAST_TIME_BUY |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 88A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 58A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 200W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 100 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 180 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5150 pF @ 50 V |
