取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$7.1820
$7.1820
50
$5.7330
$286.6500
100
$5.1345
$513.4500
500
$4.5255
$2,262.7500
1000
$4.0740
$4,074.0000
2000
$3.8220
$7,644.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 195A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 170A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-262 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 300 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 8970 pF @ 50 V |
