Количество
Цены
Общая цена
1
$3.5595
$3.5595
50
$2.8245
$141.2250
100
$2.4150
$241.5000
500
$2.1525
$1,076.2500
1000
$1.8375
$1,837.5000
2000
$1.7325
$3,465.0000
5000
$1.6590
$8,295.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 120A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 4.1mOhm @ 75A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 150µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-262 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 75 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 170 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 6920 pF @ 50 V |
