取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | DISCONTINUED |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 48A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 29A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 110W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 60 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1360 pF @ 25 V |
