取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 130A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 6.5mOhm @ 78A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±16V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 100 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5330 pF @ 25 V |
