取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$2.7195
$2.7195
50
$2.1840
$109.2000
100
$1.7955
$179.5500
500
$1.5225
$761.2500
1000
$1.2915
$1,291.5000
2000
$1.2285
$2,457.0000
5000
$1.1760
$5,880.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | LAST_TIME_BUY |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 104A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 54A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 200W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±16V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 55 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 130 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5000 pF @ 25 V |
