取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 24A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 42mOhm @ 12A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 75W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 2.5V, 4.5V |
| ВГС (Макс) | ±8V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 44 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1460 pF @ 15 V |
