取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | DISCONTINUED |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 2W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8.1A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1020pF @ 25V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SO |
