取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$3.8430
$3.8430
50
$3.0450
$152.2500
100
$2.6040
$260.4000
500
$2.3205
$1,160.2500
1000
$1.9845
$1,984.5000
2000
$1.8690
$3,738.0000
5000
$1.7955
$8,977.5000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 195A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 1.7mOhm @ 195A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 162 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 10315 pF @ 25 V |
