取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | Super D2-Pak |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 185A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 110A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | SUPER D2-PAK |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±16V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 140 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 7660 pF @ 25 V |
