取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$1.4385
$1.4385
10
$1.1760
$11.7600
100
$0.9135
$91.3500
500
$0.7770
$388.5000
1000
$0.6300
$630.0000
2000
$0.5985
$1,197.0000
4000
$0.5985
$2,394.0000
8000
$0.5670
$4,536.0000
12000
$0.5355
$6,426.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 8-PowerTDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 28A (Ta), 105A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.6W (Ta), 52W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| Пакет устройств поставщика | 8-PQFN (5x6) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 2.5V, 4.5V |
| ВГС (Макс) | ±12V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 86 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 3710 pF @ 10 V |
