取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.6195
$0.6195
10
$0.5355
$5.3550
100
$0.3675
$36.7500
500
$0.3150
$157.5000
1000
$0.2625
$262.5000
2000
$0.2310
$462.0000
4000
$0.2310
$924.0000
8000
$0.2205
$1,764.0000
12000
$0.2100
$2,520.0000
28000
$0.2100
$5,880.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | NOT_FOR_NEW_DESIGNS |
| Пакет/кейс | 6-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8.7A (Ta), 19A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.1W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Пакет устройств поставщика | 6-PQFN (2x2) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 2.5V, 4.5V |
| ВГС (Макс) | ±12V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1019 pF @ 25 V |
