取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.4725
$0.4725
10
$0.4095
$4.0950
100
$0.2835
$28.3500
500
$0.2415
$120.7500
1000
$0.2205
$220.5000
4000
$0.2205
$882.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | 6-PowerVDFN |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Мощность - Макс. | 1.5W |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30V |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 3.6A |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 270pF @ 25V |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 3.4A, 4.5V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.1V @ 10µA |
| Пакет устройств поставщика | 6-PQFN Dual (2x2) |
