取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-261-4, TO-261AA |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 75A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 3.3mOhm @ 140A, 10V |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4V @ 250µA |
| Пакет устройств поставщика | SOT-223 |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 200 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 5730 pF @ 25 V |
