取消
Количество
Цены
Общая цена
1
$0.3990
$0.3990
6000
$0.1050
$630.0000
9000
$0.0945
$850.5000
30000
$0.0945
$2,835.0000
75000
$0.0840
$6,300.0000
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | IR (Infineon Technologies) |
| Ряд | HEXFET® |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | ACTIVE |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 1.2A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 250mOhm @ 930mA, 4.5V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 540mW (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 700mV @ 250µA (Min) |
| Пакет устройств поставщика | Micro3™/SOT-23 |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 2.7V, 4.5V |
| ВГС (Макс) | ±12V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 3.9 nC @ 4.5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 110 pF @ 15 V |
