取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и коробка (ТБ) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 30pF @ 0V |
| Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | 25 V |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 25 V |
| Мощность - Макс. | 400 mW |
| Сопротивление - RDS(Вкл.) | 8 Ohms |
| Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | 10 V @ 1 µA |
| Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 80 mA @ 5 V |
