取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и коробка (ТБ) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 8pF @ 10V (VGS) |
| Напряжение – пробоя (В(BR)GSS) | 30 V |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Мощность - Макс. | 400 mW |
| Сопротивление - RDS(Вкл.) | 85 Ohms |
| Напряжение — отсечка (VGS выключена) @ Id | 5 V @ 10 nA |
| Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 20 mA @ 15 V |
