取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и коробка (ТБ) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Тип транзистора | NPN - Pre-Biased |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 100mV @ 250µA, 5mA |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1µA |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Пакет устройств поставщика | TO-92-3 |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 mA |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 V |
| Мощность - Макс. | 500 mW |
| Резистор — база (R1) | 4.7 kOhms |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 kOhms |
