取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Ряд | TrenchMOS™ |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | TO-220-3 |
| Тип монтажа | Through Hole |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 75A (Tc) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 25A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 166W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 23 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2180 pF @ 25 V |
