TP65H035WS Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Chengdu retronic_интегральные схемы IC,резисторы_конденсаторы_потенциометры_трансформаторы

Номер запчастей：	TP65H035WS
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	Transphorm
Описание：	GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Упаковка：
Упаковка：	Трубка
Количество：	302
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

TP65H035WS

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

Transphorm

Описание：

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Упаковка：

Трубка

Количество：

302

Состояние RoHS：

YES

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Transphorm
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-247-3
Тип монтажа	Through Hole
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	46.5A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	41mOhm @ 30A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)	156W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.8V @ 1mA
Пакет устройств поставщика	TO-247-3
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	12V
ВГС (Макс)	±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1500 pF @ 400 V

ТИП

ОПИСАНИЕ

Производитель

Transphorm

Ряд

Упаковка

Трубка

Статус продукта

ACTIVE

Пакет/кейс

TO-247-3

Тип монтажа

Through Hole

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Технологии

GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

46.5A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

41mOhm @ 30A, 10V

Рассеиваемая мощность (макс.)

156W (Tc)

Vgs(th) (Макс) @ Id

4.8V @ 1mA

Пакет устройств поставщика

TO-247-3

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

12V

ВГС (Макс)

±20V

Напряжение стока к источнику (Vdss)

650 V

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

36 nC @ 10 V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1500 pF @ 400 V