TP65H050G4YS Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Chengdu retronic_интегральные схемы IC,резисторы_конденсаторы_потенциометры_трансформаторы

Номер запчастей：	TP65H050G4YS
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	Transphorm
Описание：	650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE
Упаковка：
Упаковка：	Трубка
Количество：	402
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

TP65H050G4YS

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

Transphorm

Описание：

650 V 35 A GAN FET HIGH VOLTAGE

Упаковка：

Трубка

Количество：

402

Состояние RoHS：

YES

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Transphorm
Ряд	SuperGaN®
Упаковка	Трубка
Статус продукта	ACTIVE
Пакет/кейс	TO-247-4
Тип монтажа	Through Hole
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	35A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	60mOhm @ 22A, 10V
Рассеиваемая мощность (макс.)	132W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	4.8V @ 700µA
Пакет устройств поставщика	TO-247-4L
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	10V
ВГС (Макс)	±20V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	24 nC @ 10 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1000 pF @ 400 V

ТИП

ОПИСАНИЕ

Производитель

Transphorm

Ряд

SuperGaN®

Упаковка

Трубка

Статус продукта

ACTIVE

Пакет/кейс

TO-247-4

Тип монтажа

Through Hole

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Технологии

GaNFET (Gallium Nitride)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

35A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

60mOhm @ 22A, 10V

Рассеиваемая мощность (макс.)

132W (Tc)

Vgs(th) (Макс) @ Id

4.8V @ 700µA

Пакет устройств поставщика

TO-247-4L

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±20V

Напряжение стока к источнику (Vdss)

650 V

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

24 nC @ 10 V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

1000 pF @ 400 V