Производитель | Transphorm |
Ряд | TP65H070L |
Упаковка | Трубка |
Статус продукта | DISCONTINUED |
Пакет/кейс | 3-PowerDFN |
Тип монтажа | Surface Mount |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Технологии | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) |
Тип полевого транзистора | N-Channel |
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 25A (Tc) |
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 85mOhm @ 16A, 10V |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 96W (Tc) |
Vgs(th) (Макс) @ Id | 4.8V @ 700µA |
Пакет устройств поставщика | 3-PQFN (8x8) |
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 10V |
ВГС (Макс) | ±20V |
Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 V |
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 9.3 nC @ 10 V |
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 600 pF @ 400 V |