取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | U-MOSIII |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 8A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 4A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2V @ 1mA |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOP (5.5x6.0) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±20V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 40 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 48 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 2180 pF @ 10 V |
