取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | U-MOSIV |
| Упаковка | Разрезанная лента (CT) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-VDFN Exposed Pad |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | N-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 25A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 6.8mOhm @ 12.5A, 10V |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2.5V @ 1A |
| Пакет устройств поставщика | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 4.5V, 10V |
| ВГС (Макс) | ±25V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1600 pF @ 10 V |
