取消
| ТИП | ОПИСАНИЕ |
| Производитель | Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation |
| Ряд | U-MOSIII |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | OBSOLETE |
| Пакет/кейс | 8-SMD, Flat Lead |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) |
| Тип полевого транзистора | P-Channel |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 2.7A (Ta) |
| Rds включен (макс.) @ Id, Vgs | 110mOhm @ 1.4A, 4.5V |
| Особенность полевого транзистора | Schottky Diode (Isolated) |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 330mW (Ta) |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1.2V @ 200µA |
| Пакет устройств поставщика | VS-8 (2.9x1.5) |
| Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) | 1.8V, 4.5V |
| ВГС (Макс) | ±8V |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 V |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 6 nC @ 5 V |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 470 pF @ 10 V |
