TPH3208LDG Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы_Chengdu retronic_интегральные схемы IC,резисторы_конденсаторы_потенциометры_трансформаторы

Номер запчастей：	TPH3208LDG
Классификация продукции：	Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Производитель：	Transphorm
Описание：	GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
Упаковка：
Упаковка：	Трубка
Количество：	9
Состояние RoHS：	YES
Поделиться

Номер запчастей：

TPH3208LDG

Классификация продукции：

Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы

Производитель：

Transphorm

Описание：

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

Упаковка：

Трубка

Количество：

Состояние RoHS：

YES

ТИП	ОПИСАНИЕ
Производитель	Transphorm
Ряд	-
Упаковка	Трубка
Статус продукта	OBSOLETE
Пакет/кейс	3-PowerDFN
Тип монтажа	Surface Mount
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Технологии	GaNFET (Gallium Nitride)
Тип полевого транзистора	N-Channel
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	20A (Tc)
Rds включен (макс.) @ Id, Vgs	130mOhm @ 13A, 8V
Рассеиваемая мощность (макс.)	96W (Tc)
Vgs(th) (Макс) @ Id	2.6V @ 300µA
Пакет устройств поставщика	3-PQFN (8x8)
Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)	10V
ВГС (Макс)	±18V
Напряжение стока к источнику (Vdss)	650 V
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	14 nC @ 8 V
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	760 pF @ 400 V

ТИП

ОПИСАНИЕ

Производитель

Transphorm

Ряд

Упаковка

Трубка

Статус продукта

OBSOLETE

Пакет/кейс

3-PowerDFN

Тип монтажа

Surface Mount

Рабочая Температура

-55°C ~ 150°C (TJ)

Технологии

GaNFET (Gallium Nitride)

Тип полевого транзистора

N-Channel

Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C

20A (Tc)

Rds включен (макс.) @ Id, Vgs

130mOhm @ 13A, 8V

Рассеиваемая мощность (макс.)

96W (Tc)

Vgs(th) (Макс) @ Id

2.6V @ 300µA

Пакет устройств поставщика

3-PQFN (8x8)

Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены)

10V

ВГС (Макс)

±18V

Напряжение стока к источнику (Vdss)

650 V

Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs

14 nC @ 8 V

Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds

760 pF @ 400 V